-
2026-01-09 16:12
irm1347477：公司12.20股东数？
国林科技：尊敬的投资者，您好。截至2025年12月19日，公司股东人数（合并普通账户和融资融券信用账户）共计22,517人。感谢您的关注。
-
2026-01-09 16:12
irm1347477：公司开始有人形机器人领域的技术应用吗
国林科技：尊敬的投资者，您好。公司业务暂未涉及该领域，公司将积极关注行业动态。感谢您的关注。
-
2026-01-09 16:11
irm1347477：公司自主研发的用于存储芯片薄膜沉积和清洗用的半导体设备是否已经量产？
国林科技：尊敬的投资者，您好。目前，国林半导体公司通过自主研发技术取得了阶段性成果:半导体湿法清洗工艺用臭氧水以及其他配套功能水设备现有客户已经全部验证通过，正在量产持续出货中；薄膜沉积工艺用臭氧气体发生器验证取得了重要突破，目前已小批量出货中；公司将持续开拓新客户。感谢您的关注。
-
2026-01-09 16:07
irm1347477：公司近期半导体设备新收货订单情况如何？
国林科技：尊敬的投资者，您好。公司经营情况请关注公司在指定媒体上披露的定期报告。感谢您的关注。
-
2026-01-09 16:05
irm1347477：公司涉及hbm高带宽存储芯片制造过程中的半导体设备有哪些？
国林科技：尊敬的投资者，您好。子公司国林半导体现有产品包括：半导体级超纯臭氧气体发生器、臭氧气体输送系统、半导体级高浓度臭氧水系统、DI-NH3氨水输送系统、二氧化碳水发生器、臭氧水杀菌系统、臭氧气体尾气分解器、臭氧水分解器、臭氧气体浓度检测仪、臭氧水溶浓度检测仪等产品；详细产品介绍您可以关注公司官网信息。感谢您的关注。
-
2026-01-09 16:02
irm1856561：请问12月底的股东人数多少，谢谢
国林科技：尊敬的投资者，您好。截至2025年12月31日，公司股东人数（合并普通账户和融资融券信用账户）共计22,825人。感谢您的关注。
-
2025-12-17 08:47
irm1347477：请问目前ald的两种路径，一种是水蒸气作为氧源，一种是臭氧作为氧源，均为与tma前驱体反应实现薄膜沉积。目前主流传统是采取水蒸气方式。请问公司所采取的臭氧路径相较于水蒸气，有何优势？
国林科技：尊敬的投资者，您好。臭氧应用于ALD先进制程相较水蒸气优势在于：薄膜纯度更高、杂质更少，致密度与均匀性更佳；低温适配性强，能渗透复杂 3D 结构，且反应副产物无污染，可提升器件性能与生产效率，适配先进制程需求。感谢您的关注。
-
2025-12-17 08:46
irm1347477：公司的半导体设备是直接被存储芯片制造商购买，然后直接在存储芯片产线上使用吗？
国林科技：尊敬的投资者，您好。国林半导体公司所生产的半导体专用臭氧气体设备及机能水设备等产品，主要为设备商提供配套服务，与主机设备一同供应至终端客户。目前，该部分业务占公司主营业务收入的比重较低。感谢您的关注。
-
2025-12-17 08:45
irm1347477：请问公司在存储芯片领域的业务，是存储芯片制造商直接采购贵司的产品设备用以制造生产存储芯片？还是贵司先给北方华创、盛美上海等这样的半导体设备厂商提供零部件设备，再由他们集成设备销售给存储芯片制造商使用？
国林科技：尊敬的投资者，您好。国林半导体公司所生产的半导体专用臭氧气体设备及机能水设备等产品，主要为设备商提供配套服务，与主机设备一同供应至终端客户。目前，该部分业务占公司主营业务收入的比重较低。感谢您的关注。
-
2025-12-17 08:40
irm1347477：原子级制造目前主流的技术为原子层刻蚀ale和原子层沉积ald，而臭氧在ale和ald中均发挥了重要作用。公司作为国内半导体臭氧设备的领先企业，能否分别介绍一下臭氧在原子层刻蚀ale和原子层沉积ald的技术原理有何不同？
国林科技：尊敬的投资者，您好。二者核心差异是作用相反，且均依托自限性循环：臭氧在 ALD 中作氧前驱体，与 TMA 等反应沉积单原子层氧化物薄膜；在 ALE 中作氧化剂，氧化基底表面原子后剥离，实现单原子层刻蚀。感谢您的关注。
