华大九天 (sz301269) +添加自选
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  • 2026-06-09 08:45
    irm1583114:市场关注DTCO(设计工艺协同优化)在先进制程与先进封装时代的重要性不断提升。请问公司是否在DTCO、DFM及先进工艺协同优化方向有所布局?
    华大九天:尊敬的投资者您好,在晶圆制造EDA领域,公司构建了设计支撑完整解决方案、流片-光罩生成解决方案、良率分析解决方案和设计-制造协同优化(DTCO)解决方案,形成全流程技术支撑体系,为晶圆制造关键环节提供核心保障。其中设计支撑解决方案是国内唯一覆盖从PDK开发,设计开发到流片服务的全链条平台;流片-光罩生成解决方案解决了先进工艺下大规模版图数据验证耗时长和TB(太字节)级光罩生成难以突破8小时的两大瓶颈问题;良率分析解决方案采用AI驱动技术前瞻性识别工艺缺陷,准确率达99%,有效助力客户快速提升产品良率;DTCO解决方案包括XTime、ALPS、Qualib、XModel及Vision等工具,该方案从物性和电性两个方向指导工艺调优,促进设计更好的适配工艺,以取得更优的设计性能-功耗-面积(PPA)和工艺良率。感谢您的关注!
  • 2026-06-09 08:45
    irm3392709:公司是国产EDA自主可控的龙头,请问公司的3DIC设计EDA能应用在华为的“韬(τ)定律”上吗?
    华大九天:尊敬的投资者您好,在3DIC方面,公司前瞻性洞察到当前 AI、GPU、存储等芯片正依托3DIC技术突破后摩尔时代先进工艺及算力瓶颈,在3DIC设计 EDA 领域提前布局,构建了覆盖从异构集成三维芯片协同设计到验证的全流程解决方案,填补了国内高端3DIC设计工具的空白,是国内唯一的3DIC设计验证全流程 EDA 提供商。感谢您的关注!
  • 2026-06-09 08:45
    irm1583114:后摩尔时代背景下,业界认为EDA的重要性正从传统设计工具向“系统级性能优化平台”演进。请问公司如何看待未来EDA在逻辑折叠、时序优化及多芯片协同中的战略价值?
    华大九天:尊敬的投资者您好,公司前瞻性洞察到当前AI、GPU、存储等芯片正依托3DIC技术突破后摩尔时代先进工艺及算力瓶颈,在3DIC设计EDA领域提前布局,构建了覆盖从异构集成三维芯片协同设计到验证的全流程解决方案,填补了国内高端3DIC设计工具的空白,是国内唯一的3DIC设计验证全流程EDA提供商。公司推出首款业界领先的Argus 3DIC物理验证平台,全面支持2.5D/3D 异构集成封装设计,可实现3DIC多元化协同设计到封装的全链路物理验证。感谢您的关注!
  • 2026-06-09 08:45
    irm1583114:华为近期提出“韬定律(时间缩微)”以及逻辑折叠等新型算力提升路径,市场认为后摩尔时代对系统级EDA、Chiplet协同设计、3DIC以及时序优化提出更高要求。请问公司在先进封装EDA、3DIC设计、系统级协同优化等方向是否已有相关技术布局或产品储备?
    华大九天:尊敬的投资者您好,在先进封装设计EDA领域,公司先进封装EDA平台已具备支撑高端 AI 芯片、GPU、高性能处理器芯片等Chiplet芯粒设计的能力。该平台解决了先进封装工艺下超大规模版图设计和物理验证的瓶颈,显著提升了超大规模芯片封装设计效率。在 3DIC方面,公司前瞻性洞察到当前AI、GPU、存储等芯片正依托3DIC技术突破后摩尔时代先进工艺及算力瓶颈,在3DIC设计EDA领域提前布局,构建了覆盖从异构集成三维芯片协同设计到验证的全流程解决方案,填补了国内高端3DIC设计工具的空白,是国内唯一的 3DIC 设计验证全流程 EDA 提供商。公司推出首款业界领先的Argus 3DIC物理验证平台,全面支持2.5D/3D异构集成封装设计,可实现3DIC多元化协同设计到封装的全链路物理验证。感谢您的关注!
  • 2026-06-04 18:12
    cninfo602734:华大九天 3DIC设计验证全流程主控平台"总控底座"提供逻辑折叠芯片从电路设计立体版图跨Die互连3DIC物理验证(Argus 3DIC寄生提取(RCExplorer®时序签核的全流程EDA是华为海思逻辑折叠芯片的核心设计入口国内唯一具3DIC设计验证全流程EDA能力的厂商韬定律落地的"设计底座"无可替代华为哈勃直接持股已批量用于麒麟/昇腾设计流程请问董秘上述属实吗
    华大九天:尊敬的投资者您好,公司与国内集成电路领域头部企业建立了良好的业务合作关系,为相关企业的业务持续健康发展提供了重要的支撑和保障。鉴于公司须遵循与客户的商务条款及保守公司商业机密需要,公司不方便透露涉及具体客户合作情况,如涉及达到披露标准的重大业务进展,公司将及时履行信披义务。感谢您的关注!
  • 2026-06-04 18:09
    cninfo602734:过逻辑折叠等创新技术持续压缩信号传播时延,不断提升晶体管密度,实现半导体与电子系统的持续演进“韬定律”不追求最小线宽节点追求更好的优化改布线拓扑结构EDA,改垂直距离高深宽比刻蚀改nmos/pmos的的相对位置和结构,改金属填孔和连接工艺靶材和CVD还有阻挡层最终控制散热提高信号效率改善漏电消除寄生效应以达到更高频率利好沉积刻蚀EDA等细分领域请问董秘公司产品可以用在上述芯片制造吗谢谢
    华大九天:尊敬的投资者您好,与韬定律相关的先进封装/3DIC技术,需要EDA在设计和验证环节提供支持,公司先进封装自动布线工具Storm全面升级为先进封装设计平台,该平台除了支持业界主流的先进封装硅基工艺和有机 RDL(ReDistribution Layer 重布线层) 工艺外,还支持硅桥+RDL 异构整合形式的先进封装新工艺,实现了多芯片间的大规模互联布线、高密度逃逸式布线以及大面积电源地平面布线等功能。3DIC方面公司构建了覆盖从异构集成三维芯片协同设计到验证的全流程解决方案,填补了国内高端 3DIC 设计工具的空白,是国内唯一的3DIC设计验证全流程EDA提供商。感谢您的关注!
  • 2026-06-04 18:08
    irm1118977:公司与长江存储是否有直接或间接业务合作关系?
    华大九天:尊敬的投资者您好,公司已与国内头部存储企业建立了战略合作关系,2023年推出了存储电路设计全流程EDA工具系统,经过头部存储芯片企业的设计和生产验证,已经被大规模应用于存储芯片的设计和制造中。鉴于公司须遵循与客户的商务条款及保守公司商业机密需要,公司不方便透露涉及具体客户合作情况,如涉及达到披露标准的重大业务进展,公司将及时履行信披义务。感谢您的关注!
  • 2026-06-04 18:05
    cninfo602734:过逻辑折叠等创新技术,持续压缩信号传播时延,不断提升晶体管密度实现半导体与电子系统的持续演进。“韬定律”不追求最小线宽节点,追求更好的优化,改布线拓扑结构EDA改垂直距离高深宽比刻蚀改nmos/pmos的的相对位置和结构改金属填孔和连接工艺靶材和CVD还有阻挡层最终控制散热提高信号效率改善漏电消除寄生效应以达到更高频率利好沉积刻蚀EDA等细分领域请问董秘贵公司可以提供相关eda技术吗谢谢
    华大九天:尊敬的投资者您好,与韬定律相关的先进封装/3DIC技术,需要EDA在设计和验证环节提供支持,公司先进封装自动布线工具Storm全面升级为先进封装设计平台,该平台除了支持业界主流的先进封装硅基工艺和有机 RDL(ReDistribution Layer 重布线层) 工艺外,还支持硅桥+RDL 异构整合形式的先进封装新工艺,实现了多芯片间的大规模互联布线、高密度逃逸式布线以及大面积电源地平面布线等功能。3DIC方面公司构建了覆盖从异构集成三维芯片协同设计到验证的全流程解决方案,填补了国内高端 3DIC 设计工具的空白,是国内唯一的3DIC设计验证全流程EDA提供商。感谢您的关注!
  • 2026-06-04 18:04
    cninfo602734:华大九天明确披露与国内龙头芯片设计企业(含华为海思)深度合作联合推进工艺适配和 EDA 生态闭环头部 AI 芯片 / GPU / 存储芯片企业Argus 3DIC 平台已通过国内多家头部芯片企业测试验证用于 AI 加速芯片、高端存储芯片的 2.5D/3D 设计验证并有流片成功案例行业分析指向国产 GPU(如沐曦、壁仞类客户群)国产存储长鑫合作生态等在试点或评估中请问董秘上述属实吗谢谢
    华大九天:尊敬的投资者您好,公司与国内集成电路领域头部企业建立了良好的业务合作关系,为相关企业的业务持续健康发展提供了重要的支撑和保障。鉴于公司须遵循与客户的商务条款及保守公司商业机密需要,公司不方便透露涉及具体客户合作情况,如涉及达到披露标准的重大业务进展,公司将及时履行信披义务。感谢您的关注!
  • 2026-06-01 17:12
    cninfo602734:华大九天是国内唯一能提供DRAM存储芯片设计全流程EDA工具(电路设计→仿真→物理验证→版图)并被长鑫存储大规模量产验证的厂商已支撑长鑫DDR4/DDR5迭代设计部分报道称长鑫是华大九天存储全流程EDA"首家量产应用客户"② 联合定制与协同优化非简单采购License而是需求牵引+联合调优——华大九天根据长鑫DRAM海量阵列高密度布线的特殊需求定向优化算法请问董秘上述属实吗谢谢
    华大九天:尊敬的投资者您好,公司已与国内头部存储企业建立了战略合作关系,2023年推出了存储电路设计全流程EDA工具系统,经过头部存储芯片企业的设计和生产验证,已经被大规模应用于存储芯片的设计和制造中。该系统支持包括但不限于静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)以及闪速存储器(NOR/NAND Flash)、磁随机存取存储器(MRAM)等多种类型的存储芯片设计。鉴于公司须遵循与客户的商务条款及保守公司商业机密需要,公司不方便透露涉及具体客户合作情况,如涉及达到披露标准的重大业务进展,公司将及时履行信披义务。感谢您的关注!
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