7月29日,日韩股市高开低走。截至发稿,韩国KOSPI综指跌超6%,跌破5700点,跌至4月7日以来新低,自6月中旬9300点历史高点已跌近40%。SK海力士暴跌超10%,三星电子跌超5%。日经225指数跌超1.5%。
韩国交易所启动SIDECAR机制,暂停KOSPI程序化卖盘。
7月29日,SK海力士(000660.KS)公布2026年第二季度财报。该季度SK海力士营收79.32万亿韩元(约3696亿元人民币),同比增长257%,环比增长51%;营业利润60.54万亿韩元(约2821亿元人民币),同比增长557%,环比增长61%;净利润93.92万亿韩元(约4377亿元人民币),环比增长133%。
第二季度,SK海力士营业利润率为76%,净利润率为118%,现金及现金等价物则达到88万亿韩元,环比增加了33.6万亿韩元。该公司表示,在强劲的AI需求推动下,高价值产品销售带动公司季度业绩再创新高,上半年收入首次超过100万亿韩元。
具体产品中,SK海力士表示,HBM4(第六代高带宽内存)第二季度已实现大规模出货,下半年将持续扩大出货规模,HBM4E(HBM4增强版本)已向客户发送样品。DRAM(动态随机存取存储器)方面,SOCAMM2(专为AI服务器设计的新型内存形态)销量持续增长,基于1c工艺(10纳米第六代DRAM工艺)的产品量产稳步爬坡。NAND闪存方面,该公司已在推动先进制程迭代,321层的NAND闪存市场占比持续提升,公司的目标是到今年年底321层产能可占公司本土NAND闪存总产能的50%左右。
SK海力士表示,随着大型科技公司加大对AI基础设施的需求,这些投资获得AI服务产生的收入支撑,预计存储需求的增长势头将持续下去。以需求展望为基础,SK海力士与十余家主要客户签订了长期协议,以确保中长期的稳定供应,多年期合同和技术创新解决方案的需求已有所增长。
作为对市场需求增长的回应,SK海力士在加速推进韩国忠清北道清州市DRAM生产基地M15X的量产。中长期的投资计划包括投入P&T7先进封装设施、M17 NAND生产基地和新半导体集群的开发项目建设,公司将根据客户需求及投资效益分阶段进行。
虽然SK海力士第二季度多项财务数据增长迅猛,但营业利润低于此前市场预测的约64万亿韩元,营收低于市场预期的约84万亿韩元。有分析指出,SK海力士未能达到分析师预期,是因为该公司在AI数据中心所用高端内存芯片领域的业务占比高于竞争对手,这意味着它在传统内存芯片价格强劲上涨时获益较少。这加剧了人们对推动半导体行业发展的AI热潮可能正在放缓的担忧。
美股7月28日,SK海力士(SKHY)跌8.98%,触及上市后股价新低。美股存储股也被带崩,闪迪跌逾14%,希捷科技、美光科技、AMD跌逾8%。
韩股SK海力士股价高点在6月22日,6月22日至7月28日,SK海力士股价已累计下跌46.9%。