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2025-06-13 16:59
irm1347477：公司有第三代半导体领域相关的产品技术吗？在氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等第三代半导体器件制造中，臭氧用于高质量氧化层的沉积。
国林科技：尊敬的投资者，您好。国林半导体基于集团多年来在臭氧机理研究的技术优势和技术沉淀，目前所研发的为半导体行业专用的臭氧发生器和臭氧水机核心器件均可实现自研自制，能够为半导体、光伏、面板等行业提供系统配套设备，并可以为终端用户提供臭氧系统设备的日常维护和整机维修业务。感谢您的关注。
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2025-06-13 16:56
irm1347477：高纯二氧化碳还被用于第三代半导体材料的界面处理，例如碳化硅和二氧化硅之间的界面质量会对碳化硅场效应晶体管的性能产生限制，而超临界二氧化碳处理可以降低界面态密度，提高器件性能。公司在第三代半导体材料领域是否研发了二氧化碳专用设备？
国林科技：尊敬的投资者，您好。公司正在积极研发相关设备，目前处于研发阶段，详情请关注公司定期报告。感谢您的关注。
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2025-06-13 16:56
irm1347477：在光刻技术方面，高纯二氧化碳用于浸没式光刻技术，保证液体不从侧面泄露出去，进一步提高光刻分辨率。公司是否研发了半导体级别的高纯二氧化碳发生器？技术上是否满足上述光刻理论原理？
国林科技：尊敬的投资者，您好。公司正在积极研发相关设备，目前处于研发阶段，详情请关注公司定期报告。感谢您的关注。
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2025-06-13 16:56
irm1347477：根据智研瞻产业研究院发布：《中国乙醛酸行业深度调研及投资前景预测报告》，截止到2024年，国内高品质乙醛酸晶体仍需依赖进口来满足需求，每吨超过4.5万元人民币。请问公司，既然国内市场对于高品质乙醛酸晶体的需求属于供不应求的情况，但是公司的产品在国内的销售情况好像并不是那么理想。是因为公司的产品目前还做不到这么高的品质，所以没办法与进口高端乙醛酸晶体相竞争吗？
国林科技：尊敬的投资者，您好。子公司新疆国林生产的晶体乙醛酸，其中乙醛酸一水合物浓度在98%以上，甲酸、草酸、马来酸浓度较低，且不含传统“乙二醛硝酸氧化法”工艺中的乙二醛、氯离子等有害物质。公司将积极拓展销售市场，促进营收增长，为公司的持续发展和投资者的利益带来新的动力。感谢您的关注。
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2025-06-13 16:56
irm1347477：公司公众号信息：公司生产基地占地约10万平方米，是全球最大的晶体乙醛酸生产基地，实现年产2.5万吨乙醛酸晶体和2.27万吨甲酸钾晶体。请问是否属实？
国林科技：尊敬的投资者，您好。目前公司暂未获悉国内外存在其他大规模生产高品质晶体乙醛酸的企业。感谢您的关注。
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2025-06-13 16:56
irm1347477：公司是否有涉及稀土精炼废水处理？
国林科技：尊敬的投资者，您好。公司深耕臭氧发生器领域多年，臭氧设备产品广泛应用于市政给水、工业废水、市政污水、中水回用、海水淡化、烟气脱硝、化工氧化、空间消毒等领域。感谢您的关注。
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2025-06-13 16:55
irm1347477：公司的产品技术是否已拓展至光模块生产领域？
国林科技：尊敬的投资者，您好。国林半导体基于集团多年来在臭氧机理研究的技术优势和技术沉淀，目前所研发的为半导体行业专用的臭氧发生器和臭氧水机核心器件均可实现自研自制，能够为半导体、光伏、面板等行业提供系统配套设备，并可以为终端用户提供臭氧系统设备的日常维护和整机维修业务。感谢您的关注。
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2025-06-13 16:55
irm1347477：在2.5D/3D封装中，臭氧用于介电层的沉积和表面处理，提升封装可靠性和性能。公司是否有针对2.5d/3d封装的臭氧设备？
国林科技：尊敬的投资者，您好。子公司国林半导体现有产品可以应用于先进封装过程中的清洗工艺环节。感谢您的关注。
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2025-06-13 16:55
irm1347477：公司是否考虑改善一下国林新材料的销售团队和销售渠道，不要让好好的产品最后因为销售拖累了整体。
国林科技：尊敬的投资者，您好。您的建议会转达至公司决策层，并将积极审慎考虑。感谢您的关注。
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2025-06-13 16:54
irm1347477：针对存储芯片客户需求，例如：3D NAND堆叠层数从128层升级至232层，要求薄膜沉积氧化工艺稳定性提升；公司有这方面的技术工艺吗？
国林科技：尊敬的投资者，您好。臭氧在半导体行业的应用范围主要包括薄膜沉积、湿法清洗、表面处理、氧化物生成等工艺制程，公司目前有薄膜沉积工艺制程业绩，占主营业务收入比重较小。感谢您的关注。
