证券时报网
赖小风
2026-06-16 15:50
开源证券认为，1）AI持续拉动光芯片需求，关键材料体系磷化铟或迎共振式增长窗口期。受益于AIGC的快速发展，光通信迭代加速，现代光通信系统依赖于高效、稳定的光源和探测器，而磷化铟基器件凭借其优异的光电性能，成为实现长距离、大容量数据传输的关键支撑。2）衬底材料磷化铟面临扩产瓶颈，供需失衡驱动价格上行。随着光通信市场景气度持续提升，产业下游对磷化铟晶片的需求呈现快速增长的态势，但由于工艺复杂行业扩产受限且良率普遍不高，其中单晶生长环节仍是核心瓶颈，单晶炉设备定制周期也较长，磷化铟供给缺口或长期存在。3）光芯片供应链资源关键卡位，重视磷化铟三龙头投资机会。当前磷化铟供给持续短缺，全球稳定量产磷化铟衬底的厂商屈指可数，国外主要是日本住友和美国AXT，在磷化铟景气度不断延续的背景下，国内化合物半导体材料行业发展速度明显加快，国产化趋势也明显加快。
国盛证券认为，磷化铟供需错配显著，重视国产化机遇。1）磷化铟为光芯片的核心衬底。光芯片企业通常采用三五族化合物磷化铟（InP）和砷化镓（GaAs）作为芯片的衬底材料，相关材料具有高频、高低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，符合高频通信的特点，因而在光通信芯片领域得到重要应用，目前磷化铟80%以上的需求来自AI数据中心。2）磷化铟进入壁垒高且扩产周期长，扩产瓶颈包括原材料限制和设备交期长等。3）磷化铟衬底供给市场寡头垄断，供需缺口超70%。根据Omdia、Yole数据，2026年全球磷化铟衬底需求从2025年的200—210万片提升至260—300万片，有效产能仅从2025年的60—70万片提升至75万片左右，缺口仍在70%以上；2027年后，行业预测需求将进一步突破400万片。4）国内6英寸磷化铟衬底国产化率不足5%，国产替代进程加速。
