国产高端检测技术重大突破:日联科技实现160kV纳米级开管X射线源量产,打破海外垄断
来源:证券时报网作者:齐和宁2025-10-13 11:50

日联科技(688531)昨日对外宣布,其UNOS系列160kV纳米级开放式X射线源正式实现量产,这一里程碑事件,标志着我国在高端X射线源领域取得关键突破。该产品凭借三大核心优势重塑检测标准:焦点尺寸仅0.8μm,实现更高分辨率成像;最高管电压达160KV,穿透性能显著提升;搭载数字化控制系统,操作更高效智能,其成功解决了晶圆、先进封装、多层堆叠芯片等高端产品的高精度检测难题。据悉,公司旗下半导体智检装备AX9600便采用该自研射线源,可精准检测爬锡高度、连锡、虚焊等封装缺陷,以及空洞、裂纹等内部结构问题,覆盖半导体检测全场景需求。

在全球市场格局中,高性能纳米级开放式X射线源的独立研发与生产长期被依科视朗、Finetech、X-WorX等海外企业垄断,且公开销售资源稀缺。日联科技不仅研制出首款国产纳米级开管射线源,更实现规模化量产,完成了我国从“技术追赶”到“全球并跑”的跨越,为高端检测装备国产替代按下“加速键”。目前,UNOS系列已形成标准化生产流程,进一步巩固了公司在工业检测行业的龙头地位,使其在技术解决方案、市场竞争以及进口替代浪潮中占据战略主动。

从技术维度看,X射线源作为工业检测设备的核心组件,其性能直接决定检测质量与效率。按密封方式划分,X射线源可分为开放式(开管)与封闭式(闭管),其中开管射线源凭借更小焦点尺寸、更高管电压及更大射线锥角,成为高精度、高分辨率、高穿透性检测场景的“最优解”。尤其在半导体行业,随着先进制程线宽缩小及2.5D/3D先进封装技术普及,检测要求持续升级。在晶圆制造环节,开管射线源可扫描整片晶圆,快速定位微小颗粒、划痕等缺陷;在先进封装领域,能精准核查硅通孔(TSV)填充完整性、微凸点焊接质量,有效规避信号传输风险。

从产业价值看,国产开管射线源的量产意义重大。一方面,它打破了海外对核心技术的垄断,大幅降低国内厂商的采购与维护成本,缓解利润挤压压力;另一方面,为半导体流片、前道制备工艺的质量检测提供国产技术保障,在全球贸易格局变动下,有力维护了供应链安全。行业数据显示,2025年全球半导体产业收入预计增至8000亿美元,2030年全球半导体市场规模或将突破8.47万亿元,为国产检测设备提供广阔市场空间。

政策层面,国家多部门出台利好政策为行业保驾护航。《智能制造发展规划(2025)》将“高端无损检测设备”列为重点发展领域,《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》纳入工业CT、X射线检测系统并提供补贴与税收优惠,为国产设备落地创造良好环境。在此背景下,日联科技持续拓展技术边界,已实现90kV至180kV多型号微焦点射线源量产,覆盖纳米焦点开管、微焦点、大功率小焦点等全谱系产品,且2025年上半年开管射线源及一体化大功率小焦点射线源已启动小批量出货,产业化进程持续提速。

当前,我国半导体产业正处于国产替代加速期,X射线检测设备作为产业链上游“刚需”,随产业壮大迎来发展红利。日联科技凭借技术突破与产业化能力,推动国产设备在检测精度、稳定性、自动化程度上接近国际水平,逐步抢占高端市场。未来,随着精密制造领域对高精度检测需求增加,以及3D/CT检测、AI自动缺陷识别技术的应用拓展,国产开管射线源将进一步赋能智能制造升级,日联科技这类“隐形冠军”也将持续重塑全球工业检测格局,成为中国高端制造崛起的核心力量。(齐和宁)

责任编辑: 刘少叙
校对: 廖胜超
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