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国产高端电容取得新突破
来源：上海证券报2026-06-12 19:14
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（原标题：国产高端电容，新突破）

人民财讯6月12日电，记者6月12日从湖北江城实验室了解到，该实验室近期在电容关键技术上取得重大突破，成功研制出三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米1000纳法。该电容可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片，支撑高算力、低功耗芯片研发。目前，相关技术正在开展工艺流片及小批量试产，将在先进封装领域实现规模化应用。

责任编辑： 朱雨蒙
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