10月14日，英诺赛科（02577.HK）发布公告称，公司正与英伟达合作，共同推动支持800VDC电源架构的全氮化镓（GaN）电源解决方案，以促进新一代人工智能数据中心“Al Factories”的发展，大幅提升能源效率及功率密度，并减少能耗与碳排放。

受此消息影响，英诺赛科10月14日盘中一度大涨超过18%，随后涨幅有所收窄，收盘涨4.91%至81.2港元。

英诺赛科称，800 VDC机架电源架构为人工智能数据中心带来突破性进展，可实现更高效率、更高功率密度，同时降低能耗需求并减少二氧化碳排放。英诺赛科正与英伟达合作，携手支持800 VDC电源架构，为新一代GPU路线图的扩展提供保障。

基于48V电压的传统人工智能系统正面临严峻的挑战：效率低下、铜耗过高，超过45%的总功耗耗费在散热上。未来的人工智能集群（如搭载超过500块GPU的机架）若沿用旧式PSU电源设计，将无空间容纳计算单元，而800 VDC架构正是支持系统从千瓦级跃升至兆瓦级的解决方案。

除了向800V机架电源过渡，该架构还要求在800V到1V的电压转换中实现超高功率密度和超高效率。只有氮化镓功率器件能够同时满足这些严苛要求。同时，为满足800 VDC的功率密度要求，电源开关频率必须提升至近1MHz，以缩小磁性元件和电容器的尺寸。现有机架式电源的典型开关频率最高可达300kHz，如果提升至1MHz可使磁芯尺寸缩减约50%。

作为业内唯一的全栈氮化镓供应商及领先的氮化镓IDM企业，英诺赛科是唯一实现1200V至15V氮化镓量产的公司，可提供从800V到1V的全链路解决方案。这使英诺赛科成为唯一有能力为所有转换阶段提供全GaN功率解决方案的供应商，从容应对未来架构为满足更高功率需求的演变。

在可靠性方面，英诺赛科的氮化镓同样表现卓越。其第三代器件已通过严苛的加速应力测试，包括加长的2000小时动态HTOL测试、高温（175°C）验证及大样本失效验证。自主开发的在线动态电阻监测与长期板级应力测试，确保其数据中心级产品的高性能工作寿命超过20年。

英诺赛科表示，公司第三代氮化镓器件具备卓越的快速开关特性、高效率、高功率密度及优异可靠性，通过整合800 VDC电源架构与公司氮化镓技术，人工智能数据中心将实现从千瓦级机架到兆瓦级机架的飞跃，开启更高效、更高性能、更可靠且更环保的人工智能加速计算新时代。

摩根士丹利发表报告，首次覆盖英诺赛科，评级“与大市同步”，目标价为95港元。自2025年7月底宣布与英伟达合作以来，英诺赛科的股价几乎翻倍。该行认为，英诺赛科是一家领先的氮化镓功率集成电路厂商，相信该公司已做好充分准备，从人工智能数据中心、仿人机器人和电动车等世俗增长驱动因素中获益。另外，市场竞争仍然激烈，该行认为该公司目前的估值在很大程度上反映了市场的高预期。