日前，在刚刚落幕的2025年PCIMAsia展会上，“人工智能与数据中心”被列为重点展示应用方向之一，AI负载驱动下对高频、高压、高效率电源系统的需求，正成为功率半导体产业的关键议题。GaN、封装可靠性与数据中心电源架构等相关议题出现在多场演讲中，反映出AIDC（人工智能数据中心）正深刻影响材料体系与系统设计路径。

宏微科技（688711.SH）携多款核心产品亮相展会，展示其在GaN、SiC、混合模块等关键领域的系统化布局。作为国内功率模块厂商代表，公司产品覆盖车规、光储、工业及数据中心多个应用场景。此次展会中，公司重点推介了GVE系列拓扑模、TPak封装产品及SDC塑封半桥模块等，兼顾损耗、结温、频率效率等关键性能。

当前主流AIDC架构仍采用“AC→DC→AC→DC”多级转换路径，面临效率与热管理瓶颈。英伟达提出的800VHVDC方案通过边缘部署固态变压器（SST），省略多个中间环节，有望显著提升能效并重塑电源系统结构。

在此背景下，相关变革也推动功率器件向混合材料演进：GaN用于高频前端，SiC主攻高压传输，IGBT则在特定场景延续应用。

宏微科技官微信息显示，在主流AIDC供电架构下，公司已完成多类产品落地，包括批量交付的IGBT+SiC混合模块和已实现小批供货的SiCMOS模块，覆盖不同功率等级的数据中心应用场景。同时，公司还推出适配CRPS电源的650VGaN新品，响应AI服务器对高频高效电源的需求。

面向HVDC高压平台，宏微科技已有1700VGWB模块可应用于SST场景，并计划推出多款SiC新品补位高压大功率市场。此外，针对英伟达拟于2027年部署的800VHVDC架构，公司亦将推出对应GaN产品。

据Omdia预测，2025年全球功率半导体市场规模将达755亿美元，中国占比约39%。在AI电源、储能、智能充电等场景中，国产器件正加速验证放量。

面向AIDC行业的快速发展浪潮，宏微科技表示，未来公司将继续以技术创新为驱动，不断突破性能瓶颈，为AIDC行业的能效升级与高质量发展注入“宏微力量”。