证券时报·e公司记者获悉，近日，中微公司(688012)的电容耦合高能等离子体（CCP）刻蚀设备第2000个反应台顺利付运国内一家领先的半导体制造商。本批次运付客户的CCP刻蚀设备反应台有Primo AD-RIE®及Primo HD-RIE®系列产品，均来自该客户的重复订单。

据了解，本次运付的Primo AD-RIE-e是中微第二代电介质刻蚀产品Primo AD-RIE®的子产品。Primo AD-RIE-e不仅具备Primo AD-RIE®可切换双低频射频源、可灵活装置多达六个反应台的高效设计，还配备了自主研发的四区动态静电吸盘，每一制程步骤均可独立进行控温，实现了更高的刻蚀均匀度和刻蚀选择比。客户非常看重该设备在大规模生产中稳定可靠的性能表现、显著提升的生产率和相对较低的生产成本方面的优势。Primo AD-RIE-e将应用于5纳米及以下的前段和中段的掩膜层刻蚀的开发及量产，为客户提供创新的刻蚀解决方案。

此外，该交付批次的Primo HD-RIE®具有六个单反应台腔体的系统，定位于为中高深宽比刻蚀提供综合解决方案。Primo HD-RIE®具有高同步脉冲射频功率，配备了高功率高温静电托盘和可冷却聚焦环工艺组件，在气体脉冲、多区气体调节、上电温度控制等方面性能突出。Primo HD-RIE®在3D-NAND 及DRAM中高深宽比沟槽及深孔刻蚀上表现优异，在一些关键制程上已实现量产。

据介绍，自2007年首台CCP刻蚀设备Primo D-RIE®发布以来，中微公司不断拓展CCP刻蚀设备产品线，以满足客户日益严苛的技术需求。除Primo D-RIE®双反应台刻蚀设备以外，CCP刻蚀设备系列还包括双反应台刻蚀设备Primo AD-RIE®、单反应台刻蚀设备Primo SSC AD-RIE®、Primo HD-RIE®和刻蚀及除胶一体化的 Primo iDEA®。这些产品为客户提供了全面综合的设备解决方案，用于65纳米至5纳米及以下工艺的多种应用。中微公司的刻蚀设备产品线还包括其他两款电感耦合低能等离子体（ICP）刻蚀设备和硅通孔（TSV）刻蚀设备。

从经营情况来看，中微公司等离子体刻蚀设备独特的创新技术和不断快速增长的市场占有率巩固了其在国内外半导体前道设备行业的领先地位，并推动公司持续发展。在2021年比2020年全年新增订单金额增长90.46% 达到41.29亿元、营业收入增长36.72% 达到31.08亿元的基础上，2022年公司上半年新签订单金额同比增长61.83% 达到30.57亿元，营业收入同比增长了47.30% 达到19.72亿元，扣非归母净利润同比增长了615.26% 达到4.41亿元，其中刻蚀设备收入为12.99亿元，较去年同期增长约51.48%。

中微公司集团副总裁兼介质刻蚀产品部总经理苏兴才谈及这一付运里程碑时表示，中微公司在产品开发、设计和制造过程中，始终强调创新和差异化，通过持续的技术创新为客户提供先进的产品解决方案。

“正如中微‘产品开发的十大原则’里我们首要强调的 ‘为达到设备的最高性能和客户最严要求而开发’，始终坚持‘三全’质量管理模式，将三重保险贯穿于产品生命周期的每一个环节。正是中微公司的创新技术和世界一流的专业技能使我们的刻蚀设备产品备受领先厂商的青睐，我们为能帮助客户实现技术和盈利目标感到骄傲。”苏兴才谈到。

资料显示，中微公司致力于为全球集成电路和LED芯片制造商提供领先的加工设备和工艺技术解决方案。该公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国际一线客户从65纳米到5纳米及更先进工艺的众多刻蚀应用，公司开发的用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备已在客户生产线上投入量产，目前已在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据领先地位。