4月27日晚间，中微公司发布2026年第一季度报告。

据披露，公司第一季度实现营业收入29.15亿元，同比增长34.13%；同期实现归属于上市公司股东的净利润9.30亿元，较去年同期增长197.20%；同期公司研发支出9.08亿元，较去年同期增长约32.15%，研发支出占公司营业收入比例约为31.14%，以远高于科创板上市公司的平均研发投入水平，推进六大类、超20款新设备的研发。

对于最新经营情况，中微公司介绍，公司累计已有超过8300个反应台在国内外180余条客户芯片及LED生产线全面量产。公司在过去14年保持了营业收入年均增长大于35%、在2025年比2024增长36.62%的基础上，2026年第一季度营业收入继续保持高速增长；营收增长主要系：公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件超高深宽比刻蚀工艺实现量产。公司为先进存储器件和逻辑器件开发的 LPCVD, ALD等多款导体和介质薄膜设备已经顺利进入市场，薄膜设备的覆盖率不断增加，新增付运量保持快速增长，并在客户端持续应用在迭代产品上。

本期归属于上市公司股东的净利润增长主要系：营业收入增长；出售了部分持有的拓荆科技股票，产生税后净收益约3.97亿元。

具体产品方面，一季报显示，公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升。在先进存储器件制造工艺中，公司完全自主开发的针对超高深宽比刻蚀工艺的刻蚀机已有300多台反应器实现了稳定可靠的大规模量产。CCP方面，用于关键刻蚀工艺的介质刻蚀产品持续保持高速增长，下一代90:1超高深宽比低温刻蚀设备已运付客户端进行验证，公司已全面覆盖存储器刻蚀应用中各类超高深宽比需求；ICP方面，适用于新一代逻辑和存储芯片制造用的第二代ICP刻蚀设备Primo AngnovaTM在3D DRAM的应用中，取得了140:1的高深宽刻蚀结果和形貌控制能力，并付运到国内领先存储客户端认证。全新的化学气相刻蚀设备 Primo DomingoTM 实现大于700:1的业界领先SiGe/Si的高选择比，在GAA和3D DRAM关键工艺的实验室验证中，展现优异的刻蚀性能，全面满足客户的各项工艺指标要求。

中微公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。

今年4月初业绩会上，谈及面对行业发展的新机遇与外部环境的新挑战时，中微公司董事长兼总经理尹志尧介绍，中微公司始终站在先进制程工艺发展的最前沿，绝不抄袭和复制国外的标配设备，一直坚持“技术的创新”“产品的差异化”和“知识产权保护”三项基本原则。作为行业领先的半导体设备企业，中微公司坚持有机生长和外延扩展相结合的策略。产品覆盖度持续提升，正稳步迈入多样化、平台化和规模化的发展新阶段。近年来，公司不断提高开发新的设备产品的质量和速度，将新产品的开发从传统的3到5年周期大幅缩短至2年以内。

展望未来，尹志尧表示，通过“有机生长”和“外延扩展”，公司在五年左右时间将覆盖60%以上的集成电路高端关键设备和70%以上的先进封装设备，成为集成电路设备的平台型公司。