近日，北方华创发布全新一代12英寸高端电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备——NMC612H。

据介绍，该设备聚焦先进逻辑与先进存储领域关键刻蚀工艺需求，针对超高深宽比、超高均匀性、精确形貌控制等挑战，攻克了全新一代精准偏压控制、射频多态脉冲控制、超高速通讯网络控制等多项技术难题，搭配全国产超百区独立控温静电卡盘及具备完全自主知识产权的温控算法，将ICP小尺寸刻蚀的深宽比提升到数百比一，均匀性带入埃米级时代，这标志着北方华创携手芯片制造商共同迎接AI时代的机遇与挑战。

SEMI数据显示，全球算力与存储芯片需求的爆发，带动半导体设备市场持续增长。干法刻蚀作为半导体设备核心品类，市场份额超过20%，预计2026年全球市场规模将达到171亿美元。其中，ICP刻蚀设备占比60%，约103亿美元，在芯片制造链条中占据不可或缺的地位。

技术层面，芯片制造中更精细的尺寸要求，带来了工艺步骤数量的成倍增加，芯片更小的关键尺寸(CD)与节距(Pitch)由多轮沉积和ICP刻蚀工艺协同定义，每一步的微小差异，都会被后续的环节指数级放大。在此背景下，北方华创精研更先进节点刻蚀工艺的难点、痛点，打造出全新一代高端ICP刻蚀产品612H。

在实际工艺表现上，NMC612H不仅在ICP平台上实现了小尺寸开口下数百比一的高深宽比刻蚀能力，还将Patterning刻蚀CD均匀性控制在了1个硅原子直径范围内，真正实现了对刻蚀形貌的单原子层级精确控制，确保刻蚀工艺能力满足下一代高端芯片的规格需求。

据了解，依托在刻蚀领域25年的技术优势与应用经验，北方华创通过了各领域头部客户的严苛验证，累计客户端ICP装机超过8000腔，月度稳定量产12英寸产品超500万片。NMC612系列ICP刻蚀产品已深度嵌入国内各主流Fab产线，全面覆盖从成熟制程到更先进技术代的逻辑、存储、功率、传感等多元芯片制造场景，并在严苛的大规模量产环境中证明了其高稳定性、低缺陷、极佳均匀性的核心竞争优势。

当日，北方华创还发布了12英寸芯片对晶圆（Die to wafer，D2W）混合键合设备——Qomola HPD30。该设备聚焦SoC、HBM、Chiplet等3D集成全领域应用对芯片互连的极限要求，突破微米级超薄芯片无损拾取、纳米级超高精度对准和无空洞高质量稳定键合等关键工艺挑战，攻克高速多轴联动控制、纳米级图像识别、全局坐标精准定位、多规格芯片自适应、AI实时感知与智能补偿等多项核心技术，并融合全套自研高精度光学成像系统与运动控制、全局标定、末端姿态调整等先进算法，实现了芯片纳米级对准精度与高速键合产能的更优平衡，成为国内率先完成D2W混合键合设备客户端工艺验证的厂商。

与此同时，北方华创同步研发的12英寸W2W混合键合设备Gluoner R50，聚焦CIS、3D NAND、3D DRAM等核心应用。随着混合键合设备的推出，公司已构建起覆盖3D集成全流程的完整工艺装备解决方案。