公众号
 电子报 客户端
您当前的位置：证券时报 > 快讯 > 正文
湖南三安半导体推出首代Trench MOSFET技术平台
来源：人民财讯作者：王小伟2025-08-27 20:11

人民财讯8月27日电，记者8月27日获悉，三安光电旗下湖南三安半导体正式发布首代高性能Trench MOSFET技术平台成果。湖南三安半导体已明确下一代Trench MOSFET技术规划：导通电阻（Ron,sp）目标将进一步下降超过20%。

责任编辑： 郑灶金
声明：证券时报力求信息真实、准确，文章提及内容仅供参考，不构成实质性投资建议，据此操作风险自担
下载“证券时报”官方APP，或关注官方微信公众号，即可随时了解股市动态，洞察政策信息，把握财富机会。
网友评论
登录后可以发言
发送
网友评论仅供其表达个人看法，并不表明证券时报立场
暂无评论
为你推荐
时报热榜
换一换
    热点视频
    换一换
    关于我们|服务条例|联系我们|版权声明|网站地图|线索提交
    备案号：粤ICP备09109218号|增值电信业务经营许可证：粤B2-20080118|互联网新闻信息服务许可证10120170066
    违法和不良信息举报电话：0755-83514034 邮箱：bwb@stcn.com 中央网信办违法和不良信息举报中心|证券时报网举报中心
    本网站提供之资料或信息，仅供投资者参考，不构成投资建议。
    深圳证券时报社有限公司版权所有，未经书面授权禁止转载及各种形式的软件开发。
    Copyright © 2008-2025 Shenzhen Securities Times Co., Ltd. All Rights Reserved