光刻机概念盘中走势活跃，截至发稿，中船特气、凯美特气、东材科技等涨停，华特气体、华懋科技涨超9%。

消息面上，据深圳市国资委消息，由市属国企深重投集团与市科技创新局联合打造的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台（简称“国创中心”）在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破性进展。该国创中心在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量氮化铝镓/氮化镓异质结构外延，能显著降低氮化镓外延材料的缺陷密度，大幅提升散热性能，各项指标均达到国际领先水平，有望从根本上解决其可靠性问题。这一成果打破了大尺寸氮化镓与碳化硅材料单片集成的技术瓶颈，可批量应用于大尺寸、高质量氮化镓外延材料制备，为现有硅基氮化镓技术路线提供了一种极具竞争力的替代方案，为氮化镓/碳化硅混合晶体管的发展和产业化进程奠定基础。  

机构表示，随着5G技术、汽车、无线通信、航天航空等技术的高速发展，电气化程度的提高对耐高温、耐高压、高频及大功率的性能有着迫切需求。氮化镓作为第三代宽禁带半导体的代表之一，拥有宽禁带、高击穿场强、高热导率和高电子漂移速率等优点，制备出的氮化镓器件导通电阻小、电子迁移率高、热导性好而且在散热、能耗、体积等方面也有着很大的优势，可以极大地提升新兴电力电子器件的性能，还能达到节省能源的效果。

天风证券指出，为获得性能更优的氮化镓器件以抢占市场份额，各大厂商正在在垂直型结构和提高集成度等方向上寻求技术突破。随着氮化硅功率器件的性能及性价比的进一步提升，未来在高、中、低电压场景下都将有很大的发展潜力，看好其在汽车电气系统、大规模集成电路、无线通讯等领域的发展。