人民财讯9月8日电，据捷佳伟创消息，近日，捷佳伟创联合中山大学材料学院成功攻克了透明导电氧化物（TCO）薄膜的技术瓶颈，创新性地提出“临界成核策略”，成功制备出高电子迁移率的铈掺杂氧化铟（ICO）薄膜。该研究成果已于近日以《Eliminating Mobility-Thickness Dependence in Transparent Conductive Oxide Layer Growth: A Critical Nucleation Strategy》为题发表于国际顶级材料期刊《Advanced Materials》。